Bauelemente und Schaltungen
Um mit höheren Trägerfrequenzen arbeiten zu können, sind neue und innovative Bauelemente und Schaltungen erforderlich. Unser Ziel ist es, fortschrittliche Halbleitertechnologien (SiGe HBTs und CMOS), Schaltungen und Antennen einzusetzen, um neue Millimeterwellen- und Terahertz-Anwendungen zu ermöglichen. Siliziumtechnologien versprechen kostengünstige On-Chip-Integrationsfähigkeiten und haben vor kurzem Transistor-Grenzfrequenzen erreicht, die bis zu fT/fmax von 505 GHz/720 GHz reichen. Die Untersuchung von hochleistungsfähigen vollintegrierten Terahertz-Schaltungen auf der Basis von reinen Siliziumtechnologien, die bei Raumtemperatur arbeiten, ist der zentrale Forschungsschwerpunkt des IHCT.
