Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG)

Projektnehmer:

Riedl, Thomas, Prof. Dr. rer. nat.
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
Bergische Universität Wuppertal

Pfeiffer, Ullrich, Prof. Dr. rer. nat.
Lehrstuhl für Hochfrequenzsysteme in der Kommunikationstechnik
Bergische Universität Wuppertal

Projektbeschreibung:

Auf dem Forschungsgebiet der exiblen Dünnschichttransistor-Technologie konnten in den letzten Jahrzehnten enorme Fortschritte erzielt werden. Die Implementierung von biegbaren hochfrequenten Kommunikationssystemen stellt jedoch, insbesondere aufgrund der geringen erreichbaren Transitfrequenz fT der Transistoren, eine besondere Herausforderung dar. Dieses Projekt macht sich zum Ziel, einen Durchbruch in der Realisierung hochfrequenter, drahtloser, biegbarer Kommunikationssysteme herbeizuführen. Dieser Durchbruch wird auf zwei Ebenen angestrebt. Auf der Technologieebene wird eine Metall-Oxid-TFT-Technologie entwickelt und in Bezug auf ihre Hochfrequenzeigenschaften optimiert. Auf der Schaltungsebene werden fortgeschrittene Konzepte basierend auf der Erzeugung von Oberwellen in nichtlinearen Schaltungen oder resistiver Selbstmischung verwendet, um eine Betriebsfrequenz weit über die Transitfrequenz hinaus zu ermöglichen.

Informationen

Laufzeit:
Sep 2015 - Dez 2018

Drittmittelgeber:
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG)

Schlagworte
Flexible Hochfrequenzelektronik, Metall-Oxid-Dünnschichttransistoren, Drahtlose Kommunikation, Schaltungsentwurf

Zweite Projektphase

Metall-Oxide TFT Technologieplattform für flexible Schaltkreise in der drahtlosen RF-Kommunikation - Phase 2

Förderkennzeichen: DFG PF 661/8-2

Projektbeschreibung:
Auf dem Forschungsgebiet der flexiblen Dünnschichttransistor-Technologie konnten in den letzten Jahrzehnten enorme Fortschritte erzielt werden. Die Implementierung von biegbaren hochfrequenten Kommunikationssystemen stellt jedoch, insbesondere aufgrund der geringen erreichbaren Transitfrequenz fT der Transistoren, eine besondere Herausforderung dar. Das Projekt macht sich zum Ziel, die Transitfrequenz der TFT Transistoren um das zehnfache anzuheben und gleichzeitig mit Hilfe innovativer harmonischer Schaltungskonzepte eine weitere Verzehnfachung der Betriebsfrequenz zu ermöglichen (10by10). Dieses Ziel wurde in der ersten Projektphase auf der Ebene von Empfängerschaltungen (resistive Selbstmischer) und durch Transitfrequenz oberhalb von 300 MHz erreicht. Ziel der zweiten Projektphase ist es, diese 10by10-Performanz ebenfalls auf der Sendeseite zu realisieren um schließlich über die GHz-Grenze hinaus drahtlose, biegbare Kommunikationssysteme am Ende der zweiten Phase zu ermöglichen.

Die GHz-Barriere in der Gerätetechnik ist bereits durchbrochen, sowohl in Bezug auf die Transitfrequenz als auch auf die maximale Schwingungsfrequenz. Die Ergebnisse werden zur Zeit veröffentlicht.

Informationen

Laufzeit
Okt 2018 - Dez 2021

Drittmittelgeber
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG)

Schlagworte
Flexible Hochfrequenzelektronik, Metall-Oxid-Dünnschichttransistoren, Drahtlose Kommunikation, Schaltungsentwurf