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Institute for High-Frequency and Communication Technology


Prof. Dr. rer. nat. Ullrich Pfeiffer

Aktuelles

  • Qualitätssicherung mittels mobiler Terahertz-Spektroskopie
    Um die Qualität bereits verpackter Güter erneut zu kontrollieren, steht die Qualitätssicherung in... [mehr]
  • Das Terahertz-Auge: Wuppertaler Forscher*innen entwickeln Prototypen einer Lichtfeldkamera für den Terahertz-Bereich
    Die Grundlagen zur Lichtfeldkamera wurden vom französischen Physiker und Nobelpreisträger Gabriel... [mehr]
  • Wissenschaftlicher Mitarbeiter des IHCT wird mit dem IRMMW-THz Outstanding Student Paper Award ausgezeichnet
    Unser Mitarbeiter Ritesh Jain hat zusammen mit einem anderem Studenten den ersten Platz bei der dies... [mehr]
  • Wuppertaler Lehrstuhl koordiniert ab 2021 neues DFG-Schwerpunktprogramm
    Die Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) richtet 14 neue Schwerpunktprogramme (SPP) für das Jahr... [mehr]
  • Update COVID-19 / Corona-Virus
    Mit dem Stand 06. April wird für das Sommersemester folgendes festgestellt [mehr]
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Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG)

High Frequency Flexible Bendable Electronics for Wireless Communication Systems (FFLexCom)

Schwerpunktprogramm der DFG - SPP 1796

Förderkennzeichen: DFG PF 661/8-1



Projektnehmer:

Riedl, Thomas, Prof. Dr. rer. nat.
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
Bergische Universität Wuppertal

Pfeiffer, Ullrich, Prof. Dr. rer. nat.
Lehrstuhl für Hochfrequenzsysteme in der Kommunikationstechnik
Bergische Universität Wuppertal



Projektbeschreibung:

Auf dem Forschungsgebiet der exiblen Dünnschichttransistor-Technologie konnten in den letzten Jahrzehnten enorme Fortschritte erzielt werden. Die Implementierung von biegbaren hochfrequenten Kommunikationssystemen stellt jedoch, insbesondere aufgrund der geringen erreichbaren Transitfrequenz fT der Transistoren, eine besondere Herausforderung dar. Dieses Projekt macht sich zum Ziel, einen Durchbruch in der Realisierung hochfrequenter, drahtloser, biegbarer Kommunikationssysteme herbeizuführen. Dieser Durchbruch wird auf zwei Ebenen angestrebt. Auf der Technologieebene wird eine Metall-Oxid-TFT-Technologie entwickelt und in Bezug auf ihre Hochfrequenzeigenschaften optimiert. Auf der Schaltungsebene werden fortgeschrittene Konzepte basierend auf der Erzeugung von Oberwellen in nichtlinearen Schaltungen oder resistiver Selbstmischung verwendet, um eine Betriebsfrequenz weit über die Transitfrequenz hinaus zu ermöglichen.



LaufzeitSep 2015 - Dez 2018
Drittmittelgeber      Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG)
SchlagworteFlexible Hochfrequenzelektronik, Metall-Oxid-Dünnschichttransistoren, Drahtlose Kommunikation, Schaltungsentwurf




Zweite Projektphase


Titel des Fortsetzungsprojektes:

Metall-Oxide TFT Technologieplattform für flexible Schaltkreise in der drahtlosen RF-Kommunikation - Phase 2

Förderkennzeichen: DFG PF 661/8-2

Projektbeschreibung:

Auf dem Forschungsgebiet der flexiblen Dünnschichttransistor-Technologie konnten in den letzten Jahrzehnten enorme Fortschritte erzielt werden. Die Implementierung von biegbaren hochfrequenten Kommunikationssystemen stellt jedoch, insbesondere aufgrund der geringen erreichbaren Transitfrequenz fT der Transistoren, eine besondere Herausforderung dar. Das Projekt macht sich zum Ziel, die Transitfrequenz der TFT Transistoren um das zehnfache anzuheben und gleichzeitig mit Hilfe innovativer harmonischer Schaltungskonzepte eine weitere Verzehnfachung der Betriebsfrequenz zu ermöglichen (10by10). Dieses Ziel wurde in der ersten Projektphase auf der Ebene von Empfängerschaltungen (resistive Selbstmischer) und durch Transitfrequenz oberhalb von 300 MHz erreicht. Ziel der zweiten Projektphase ist es, diese 10by10-Performanz ebenfalls auf der Sendeseite zu realisieren um schließlich über die GHz-Grenze hinaus drahtlose, biegbare Kommunikationssysteme am Ende der zweiten Phase zu ermöglichen.

Die GHz-Barriere in der Gerätetechnik ist bereits durchbrochen, sowohl in Bezug auf die Transitfrequenz als auch auf die maximale Schwingungsfrequenz. Die Ergebnisse werden zur Zeit veröffentlicht.


 

LaufzeitOkt 2018 - Dez 2021
Drittmittelgeber      Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG)
SchlagworteFlexible Hochfrequenzelektronik, Metall-Oxid-Dünnschichttransistoren, Drahtlose Kommunikation, Schaltungsentwurf