Europäische Union (EU)

Projektpartner:

• STMICROELECTRONICS S.A. (F)
• STMICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS (F)
• UNIVERSITE DE MONTPELLIER (F)
• UNIVERSITE DE BORDEAUX (F)
• UNIVERSITE DES SCIENCES ET TECHNOLOGIES DE LILLE - LILLE I (F)
• XMOD TECHNOLOGIES (F)
• Inras GmbH (A)
• UNIVERSITAT LINZ (A)
• INFINEON TECHNOLOGIES AG (D)
• INFINEON TECHNOLOGIES DRESDEN GMBH (D)
• IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/LEIBNIZ-
  INSTITUT FUER INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK (D)
• MICRAM MICROELECTRONIC GMBH (D)
• ALCATEL-LUCENT DEUTSCHLAND AG (D)
• RUHR-UNIVERSITAET BOCHUM (D)
• RHEINISCH-WESTFAELISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE AACHEN (D)
• TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN (D)
• UNIVERSITAT DES SAARLANDES (D)
• UNIVERSITAET STUTTGART (D)
• INTEGRATED SYSTEMS DEVELOPMENT S.A. (GR)
• POLITECNICO DI MILANO (I)
• STMICROELECTRONICS SRL (I)
• UNIVERSITA DEGLI STUDI DI MODENA E REGGIO EMILIA (I)
• UNIVERSITA DEGLI STUDI DI PAVIA (I)
• UNIVERSITA DEGLI STUDI DI ROMA LA SAPIENZA (I)
• INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICACENTRUM IMEC VZW (B)
• DICE Danube Integrated Circuit Engineering GmbH & Co KG (A)
• UNIVERSITA DELLA CALABRIA (I)
• SIAE Microelettronica Spa (I)
• UNIVERSITE GRENOBLE ALPES (F)
• KARLSRUHER INSTITUT FUER TECHNOLOGIE (D)
• NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS GMBH &CO KG (D)
• BERGISCHE UNIVERSITAET WUPPERTAL (D)
• FRIEDRICH-ALEXANDER-UNIVERSITAET ERLANGEN NUERNBERG (D)
• Kathrein-Werke KG (D)

Projektbeschreibung:

Das TARANTO-Projekt zielt darauf ab, die technologischen Barrieren für die Entwicklung der nächsten BiCMOS-Technologieplattformen zu brechen, was die Verbesserung der Leistung der HBT (Heterojunction Bipolar Transistors) mit einer deutlich höheren Integration ermöglicht. Diese neue Generation von Transistoren HBT wird ein wichtiger Faktor für die Erfüllung der Bedürfnisse von Hochgeschwindigkeitskommunikationssystemen und eine hohe Datenrate sein, die für die Integration von heterogenen intelligenten Systemen sowie für intelligente Mobilitätssysteme erforderlich ist, die in zukünftigen vollautomatischen Transportsystemen eingesetzt werden.

Die Hauptziele dieses Projektes sind die Entwicklung von Transistoren HBT mit hoher Maximalfrequenz (Fmax: 600GHz), die auf sehr hohe CMOS-Prozesse aufgebaut sind: 130 / 90nm für IFX, 55 / 28nm bis ST, während IHP an dem Projekt arbeiten wird naximale Frequenzen von 700GHz, die mit IFX- und ST-BiCMOS-Prozessen kompatibel sind. Das Projektkonsortium sammelt die wichtigsten europäischen Akteure in der Wertschöpfungskette für diese Anwendungen bei sehr hohen Frequenzen, von Laboratorien bis hin zu industriellen Nutzern und sorgt so für höchste wissenschaftliche Ebene und die Möglichkeit, die Arbeit mit geeigneten Demonstranten zu validieren.

Informationen

Laufzeit:
April 2017 - Nov. 2020

Drittmittelgeber:
European Union (EU)

Schlagworte
Terahertz Technology, HBT, SiGe