Platine mit Bauteilen

Findet nur im Sommersemester statt

Integrierte Hochfrequenz-Schaltungen in der Kommunikationstechnik (ICC)

Studiengänge:

Pflichtveranstaltung für Bachelor EE IT, und im Modul Advanced Electrical Engineering I des Master EE, Wahlpflichtveranstaltung für Wirtschaftsingenieurwesen Elektrotechnik im Modul Wahlpflichtbereich Kommunikationssysteme

  • Modulnummer: FBE0138

Lernergebnisse / Kompetenzen:

Studierende erlernen die Analyse und das Design von integrierten Schaltungen auf Chip-Ebene. Insbesonderedie Implementierung von Hochfrequenzsystemen in der Kommunikationstechnik.

Die Studierenden besitzen die Kompetenz über Eigenschaften der Wellenausbreitung und das Verhalten von Hochfrequenzschaltkreisen mit konzentrierten und verteilten Bauelementen. Die Studierenden erwerbendie Fähigkeit der mathematischen Modellierung. Die Veranstaltung vermittelt grundlegende Kenntnisse der Hochfrequenztechnik.

Inhalte:

Review of MOS and BJT technologies for high-speed applications, FET small-signal model, important deviceparameters, transconductance, unity-gain-frequency, bipolar small-signal model, bipolar unity-gain-frequency,high-speed amplifiers and two-port design, RLC-networks, Q-factors, tuned amplifiers, general properties of two-port networks, two-port networks, S Y H G parameters, input/output Admittance of two-ports, series feedback,course work introduction, power gain definitions, stability, k-factor, circuit design project description, simulta-neous conjugated match, maximum power gain definitions, Cadence software introduction, impedance matchingnetworks, L-Sections, T-Sections, Pi-Sections, harmonic distortion, project work, inter-modulation distortion, dis-tortion, HD2, HD3, THD, IM2, IM3, IP2, IP3, P1dB, BJT example, electronic noise, Johnson-noise, Spot-Noise,available-noise power, Shot-noise, BJT/FET equivalent noise model, SNR, noise-figure, noise-factor, NF, BJTnoise sources, optimum source resistance, Fmin, BJT NF, noise correlation, FET noise figure, design of LNA,mixer, image problem/rejection, direct conversion, I/Q-modulators.

Lernziel:

Sie werden lernen, wie Sie kundenspezifische Hochfrequenzschaltungen auf der Grundlage der heutigen fortschrittlichen Halbleitertechnologien (SiGe HBTs und CMOS) entwickeln können, die in Halbleiterfabriken wie ST Microelectronics, Infineon GmbH, GobalFoundries und IHP erhältlich sind. Die Vorlesung umfasst grundlegende Kenntnisse im Schaltungsentwurf für Hochfrequenzen sowie praktische Übungen mit kundenspezifischer IC-Design-Software (Cadence). Nach erfolgreichem Abschluss haben Sie gute Möglichkeiten, im Bereich der Hochfrequenzelektronik, des Designs integrierter Schaltungen zu arbeiten.

Wo benötigen Sie diese Fähigkeiten in unseren Forschungsaktivitäten?

Veranstaltungsinformationen:

Dienstags
10:00 - 12:00 Uhr, FE 00.01

Mittwochs
12:00 - 14:00 Uhr, FE 00.01

Sprache
Englisch

Sprechstunde
Freitags von 14  - 15 Uhr

Beginn
09.04.2024, 10:00

Vortragender
Prof. Pfeiffer

Moodle
ICC

Weitere Infos über #UniWuppertal: